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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 110 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 95 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 7 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 298 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 240 ns | 标称接通时间 (ton)： | 47 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HGT1S10N120BNS | INTERSIL | 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGT1S10N120BNS | FAIRCHILD | 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGT1S10N120BNS | ONSEMI | IGBT，1200V，NPT |
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| HGT1S10N120BNS9A | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-263AB |
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| HGT1S10N120BNST | FAIRCHILD | 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGT1S10N120BNST | ONSEMI | IGBT，1200V，NPT |
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