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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.57 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 54 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 180 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 33 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGT1S12N60A4DS_NL | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE |
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| HGT1S12N60A4DS9A | INTERSIL |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB |
|
| HGT1S12N60A4DST | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB |
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| HGT1S12N60A4S | INTERSIL |
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT |
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| HGT1S12N60A4S9A | FAIRCHILD |
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600V, SMPS Series N-Channel IGBTs |
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| HGT1S12N60B3DS | FAIRCHILD |
获取价格 |
27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGT1S12N60B3DS | INTERSIL |
获取价格 |
27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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| HGT1S12N60B3DS9A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB |
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| HGT1S12N60B3S | INTERSIL |
获取价格 |
27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
|
| HGT1S12N60B3S9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB |
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