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HGT1S12N60A4DS PDF预览

HGT1S12N60A4DS

更新时间： 2024-01-22 07:26:05
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 电动机控制栅瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 854K
描述
54A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB

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HGT1S12N60A4DS 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.14其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：54 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：180 ns标称接通时间 (ton)：33 ns
Base Number Matches：1

HGT1S12N60A4DS 数据手册

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HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS  
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued)  
24  
20  
16  
12  
8
24  
20  
16  
12  
8
DUTY CYCLE < 0.5%, V  
= 12V  
PULSE DURATION = 250µs  
GE  
DUTY CYCLE < 0.5%, V  
= 15V  
PULSE DURATION = 250µs  
GE  
o
T
= 150 C  
J
o
T
o
= 150 C  
J
o
T
= 125 C  
J
T
= 125 C  
J
o
T
= 25 C  
J
4
4
o
T
= 25 C  
J
0
0
0
0.5  
V , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)  
CE  
1.0  
1.5  
2
2.5  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2
2.5  
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)  
CE  
FIGURE 5. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE  
FIGURE 6. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE  
700  
400  
R
= 10Ω, L = 500µH, V  
= 390V  
CE  
G
T
R
= 10Ω, L = 500µH, V  
= 390V  
CE  
G
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
o
= 125 C, V  
= 12V, V = 15V  
GE  
J
GE  
o
T
= 125 C, V  
= 12V OR 15V  
J
GE  
o
= 25 C, V  
T
= 12V, V = 15V  
GE  
J
GE  
o
T
= 25 C, V  
= 12V OR 15V  
20 22  
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
J
GE  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
24  
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
I
CE  
CE  
FIGURE 7. TURN-ON ENERGY LOSS vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
FIGURE 8. TURN-OFF ENERGY LOSS vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
18  
32  
R
= 10Ω, L = 500µH, V  
= 390V  
CE  
R
= 10Ω, L = 500µH, V  
= 390V  
o
G
G
CE  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
28  
24  
20  
16  
12  
8
o
T
= 125 C OR T = 25 C, V = 12V  
J
J
GE  
o
o
T
= 25 C, T = 125 C, V = 12V  
GE  
J
J
o
o
T
= 25 C, T = 125 C, V  
GE  
= 15V  
22  
o
o
J
J
T
= 25 C OR T = 125 C, V  
GE  
= 15V  
J
J
4
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
24  
2
4
6
8
10 12  
14  
16  
18  
20  
22 24  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
I
CE  
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
CE  
FIGURE 9. TURN-ON DELAY TIME vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
FIGURE 10. TURN-ON RISE TIME vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS Rev. B  
123456789

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与HGT1S12N60A4DS相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HGT1S12N60A4DS_NL FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE

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HGT1S12N60A4DS9A INTERSIL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB

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HGT1S12N60A4DST FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

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