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HGT1S12N60A4DS PDF预览

HGT1S12N60A4DS

更新时间： 2024-02-08 19:39:47
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 电动机控制栅瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 854K
描述
54A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB

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HGT1S12N60A4DS 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.14其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：54 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：180 ns标称接通时间 (ton)：33 ns
Base Number Matches：1

HGT1S12N60A4DS 数据手册

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HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS  
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued)  
115  
110  
105  
100  
95  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
R
= 10Ω, L = 500µH, V  
= 390V  
CE  
G
R
= 10Ω, L = 500µH, V = 390V  
CE  
G
o
o
V
= 12V, V  
GE  
= 15V, T = 125 C  
J
GE  
T
= 125 C, V  
= 12V OR 15V  
J
GE  
o
V
= 12V, V  
GE  
= 15V, T = 25 C  
GE  
J
o
T
= 25 C, V = 12V OR 15V  
GE  
J
90  
85  
2
4
6
8
10  
12  
14 16  
18  
20 22  
24  
2
4
6
8
10  
12  
14  
16 18 20 22  
24  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
I
CE  
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
CE  
FIGURE 11. TURN-OFF DELAY TIME vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
FIGURE 12. FALL TIME vs COLLECTOR TO EMITTER  
CURRENT  
250  
16  
o
DUTY CYCLE < 0.5%, V  
= 10V  
PULSE DURATION = 250µs  
CE  
I
= 1mA, R = 25Ω, T = 25 C  
G(REF)  
L
C
14  
12  
10  
8
o
T
o
= 25 C  
200  
150  
100  
50  
J
V
= 600V  
CE  
V
= 400V  
CE  
T
= -55 C  
J
o
T
= 125 C  
J
V
= 200V  
6
CE  
4
2
0
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
V
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)  
Q , GATE CHARGE (nC)  
G
GE  
FIGURE 13. TRANSFER CHARACTERISTIC  
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
10  
R
E
= 10Ω, L = 500µH, V  
CE  
= 390V, V  
= 15V  
= 24A  
o
G
GE  
CE  
CE  
T
V
E
= 125 C, L = 500µH,  
J
= E  
+ E  
TOTAL  
ON2  
OFF  
= 390V, V  
= 15V  
+ E  
OFF  
CE  
TOTAL  
GE  
ON2  
= E  
I
I
I
= 24A  
CE  
1
I
= 12A  
= 6A  
CE  
= 12A  
= 6A  
I
CE  
I
CE  
0.1  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
5
10  
100  
, GATE RESISTANCE (Ω)  
G
1000  
o
T
, CASE TEMPERATURE ( C)  
R
C
FIGURE 15. TOTAL SWITCHING LOSS vs CASE  
TEMPERATURE  
FIGURE 16. TOTAL SWITCHING LOSS vs GATE RESISTANCE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS Rev. B  
1...3456789

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与HGT1S12N60A4DS相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HGT1S12N60A4DS_NL FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE

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HGT1S12N60A4DS9A INTERSIL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB

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HGT1S12N60A4DST FAIRCHILD Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

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