Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGT1S12N60C3DS

HGT1S12N60C3DS

更新时间： 2024-02-09 06:41:46

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体二极管晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
8页	155K
描述
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HGT1S12N60C3DS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	24 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	275 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	104 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	480 ns
标称接通时间 (ton)：	30 ns	Base Number Matches：	1

HGT1S12N60C3DS 数据手册

HGTP12N60C3D, HGT1S12N60C3DS

Data Sheet

December 2001

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

Features

• 24A, 600V at T = 25 C

This family of MOS gated high voltage switching devices

combine the best features of MOSFETs and bipolar

transistors. The device has the high input impedance of a

MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar

transistor. The much lower on-state voltage drop varies only

moderately between 25 C and 150 C. The IGBT used is the

development type TA49123. The diode used in anti-parallel

with the IGBT is the development type TA49188.

• Typical Fall Time at T = 150 C . . . . . . . . . . . . . . . . 210ns

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Hyperfast Anti-Parallel Diode

Packaging

JEDEC TO-220AB

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential.

COLLECTOR

(FLANGE)

Formerly Developmental Type TA49182.

Ordering Information

PART NUMBER

HGTP12N60C3D

HGT1S12N60C3DS

PACKAGE

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

12N60C3D

JEDEC TO-263AB

COLLECTOR

(FLANGE)

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A

to obtain the TO-263 variant in Tape and Reel, i.e.,

HGT1S12N60C3DS9A.

Symbol

FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTP12N60C3D, HGT1S12N60C3DS Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与HGT1S12N60C3DS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HGT1S12N60C3DS9A	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 12A I(C) \| TO-263AB	获取价格
HGT1S12N60C3DST	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 12A I(C) \| TO-263AB	获取价格
HGT1S12N60C3R	ROCHESTER	24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
HGT1S12N60C3RS	RENESAS	24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB	获取价格
HGT1S12N60C3S	INTERSIL	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs	获取价格
HGT1S12N60C3S	HARRIS	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs	获取价格

与HGT1S12N60C3DS相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

13
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HGT1S12N60C3DS

HGT1S12N60C3DS 技术参数

HGT1S12N60C3DS 数据手册

与HGT1S12N60C3DS相关器件

与HGT1S12N60C3DS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HGT1S12N60C3DS

HGT1S12N60C3DS 技术参数

HGT1S12N60C3DS 数据手册

与HGT1S12N60C3DS相关器件

与HGT1S12N60C3DS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？