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Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGT1N40N60A4D
HGT1N40N60A4D PDF预览

HGT1N40N60A4D

更新时间： 2024-01-02 11:31:36
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体二极管开关晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
10页 153K
描述
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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HGT1N40N60A4D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：ISOTOP包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：110 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：95 ns门极发射器阈值电压最大值：7 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：298 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：240 ns标称接通时间 (ton)：47 ns
Base Number Matches：1

HGT1N40N60A4D 数据手册

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HGT1N40N60A4D  
Typical Performance Curves (Unless Otherwise Specified) (Continued)  
190  
180  
170  
160  
150  
140  
130  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
R
= 2.2Ω, L = 200mH,  
V
o
= 390V  
G
CE  
T
= 125 C, V  
= 12V OR 15V  
J
GE  
o
V
= 12V, V  
GE  
= 15V,T = 125 C  
J
GE  
o
o
= 25 C, V  
V
= 12V or 15V,T = 25 C  
T
= 12V OR 15V  
GE  
GE  
J
J
R
= 2.2Ω, L = 200mH,  
V
CE  
= 390V  
G
0
10  
I
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
0
10  
I
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
CE  
CE  
FIGURE 11. TURN-OFF DELAYTIME vs COLLECTORTO  
EMITTER CURRENT  
FIGURE 12. FALLTIME vs COLLECTORTO EMITTER  
CURRENT  
400  
16  
o
I
= 1mA, R = 7.5Ω, T = 25 C  
DUTY CYCLE < 0.5%, V  
= 10V  
PULSE DURATION = 250ms  
G(REF)  
L
C
CE  
350  
14  
12  
10  
8
300  
250  
V
= 600V  
CE  
V
= 400V  
CE  
200  
150  
100  
50  
o
o
T
= -55 C  
J
T
= 125 C  
J
V
= 200V  
6
CE  
o
T
= 25 C  
J
4
2
0
0
6
7
8
9
10  
11  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
V
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)  
Q , GATE CHARGE (nC)  
G
GE  
FIGURE 13. TRANSFER CHARACTERISTIC  
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS  
70  
10  
5
o
o
T
E
= 125 C, V  
= 390V, V = 15V  
GE  
J
CE  
+E  
T
= 125 C, V  
= 390V, V  
GE  
= 15V  
J
CE  
+E  
= E  
ON2  
TOTAL  
OFF  
E
= E  
ON2  
TOTAL  
OFF  
4
3
2
1
0
I
= 80A  
CE  
I
= 80A  
CE  
I
= 40A  
= 20A  
CE  
I
= 40A  
1
CE  
I
CE  
I
= 20A  
75  
CE  
0.1  
25  
50  
100  
125  
150  
1
10  
R , GATE RESISTANCE (Ω)  
G
100  
500  
o
T
, CASE TEMPERATURE ( C)  
C
FIGURE 15. TOTAL SWITCHING LOSS vs CASETEMPERATURE  
FIGURE 16. TOTAL SWITCHING LOSS vs GATE RESISTANCE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGT1N40N60A4D Rev. B  
12345678...10

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