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AUIRF2607ZTRR

更新时间： 2024-02-29 14:02:20
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 284K
描述
HEXFET® Power MOSFET

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AUIRF2607ZTRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：96 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRF2607ZTRR 数据手册

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PD - 96323  
AUTOMOTIVE MOSFET  
AUIRFR2607Z  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
V(BR)DSS  
75V  
D
S
l
l
l
l
l
l
l
AdvancedProcessTechnology  
RDS(on) typ.  
max.  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
FastSwitching  
17.6m  
Ω
22m  
45A  
Ω
G
RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
AutomotiveQualified*  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
42A  
Description  
D
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C  
junction operating temperature, fast switching speed and  
improved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsandawide  
varietyofotherapplications.  
S
D
G
D-Pak  
AUIRFR2607Z  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
AbsoluteMaximumRatings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice. These  
arestressratingsonly;andfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionbeyondthoseindicatedin  
thespecificationsisnotimplied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevice  
reliability.Thethermalresistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.  
Ambienttemperature(TA)is25°C, unlessotherwisespecified.  
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
45  
32  
A
42  
IDM  
180  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
110  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
0.72  
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
96  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
mJ  
E
AS (Tested )  
96  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.38  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
08/24/10  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRF2804 INFINEON

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