5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF2805S
AUIRF2805S PDF预览

AUIRF2805S

更新时间： 2024-02-24 06:30:21
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
14页 281K
描述
Advanced Planar Technology

阅读下载

中文翻译

获取价格

AUIRF2805S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.14Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：380 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：135 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0047 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：700 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRF2805S 数据手册

 浏览型号AUIRF2805S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AUIRF2805S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AUIRF2805S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AUIRF2805S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AUIRF2805S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AUIRF2805S的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96383A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRF2805S  
AUIRF2805L  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
S
AdvancedPlanarTechnology  
LowOn-Resistance  
Dynamic dV/dT Rating  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
V(BR)DSS  
55V  
RDS(on) max.  
ID  
4.7m  
135A  
Ω
G
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs  
utilizes the latest processing techniques to achieve low  
on-resistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwith  
the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliabledeviceforuseinAutomotiveandawidevarietyof  
otherapplications.  
D2Pak  
AUIRF2805S  
TO-262  
AUIRF2805L  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated  
in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect  
device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still  
air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
135  
96  
Units  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
A
C
700  
200  
1.3  
DM  
W
W/°C  
V
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
D
C
Linear Derating Factor  
±20  
380  
920  
V
EAS  
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy Tested value  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (Tested)  
IAR  
A
See Fig.12a,12b, 15,16  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
2.0  
dv/dt  
V/ns  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mounted)  
–––  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
08/29/11  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

AUIRF2805S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF2805STRLPBF INFINEON

类似代替

 Industrial Motor Drive
IRF2805SPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRF2805S INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET

与AUIRF2805S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRF2805STRL INFINEON

获取价格

 		Advanced Planar Technology
AUIRF2805STRR INFINEON

获取价格

 		Advanced Planar Technology
AUIRF2807 INFINEON

获取价格

 		Advanced Planar Technology, Low On-Resistance
AUIRF2903Z INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE GRADE
AUIRF2903ZS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2903ZSTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2903ZSTRR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
AUIRF2905ZSTRL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF2905ZSTRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF2907Z INFINEON

获取价格

 		HEXFET? Power MOSFET

与AUIRF2805S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证