Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF2804S-7P

AUIRF2804S-7P

更新时间： 2024-01-27 07:24:49

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC 局域网
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描述
HEXFET® Power MOSFET

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AUIRF2804S-7P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.23	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	616160
Samacsys Pin Count：	7	Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	AUIRF2804S-7P-1
Samacsys Released Date：	2020-06-03 09:36:24	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW-ON RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	1050 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	240 A
最大漏极电流 (ID)：	240 A	最大漏源导通电阻：	0.0016 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263CB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	330 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1360 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AUIRF2804S-7P 数据手册

PD - 97459

AUTOMOTIVE GRADE

AUIRF2804S-7P

HEXFET^®Power MOSFET

Features

Advanced Process Technology

V_(BR)DSS

40V

1.6m

UltraLowOn-Resistance

175°COperatingTemperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free,RoHSCompliant

Automotive Qualified *

R_DS(on)max.

Ω

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

320A

240A

Description

Specifically designed for Automotive applications, this

HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest process-

ing techniques to achieve extremely low on-resistance

per silicon area. Additional features of this design are

a 175°C junction operating temperature, fast switching

speed and improved repetitive avalanche rating .

These features combine to make this design an ex-

tremely efficient and reliable device for use in Automo-

tive applications and a wide variety of other applica-

tions.

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These

are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in

the specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device

reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.

Ambient temperature (T_A) is 25°C, unless otherwise specified.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

320

Units

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

230

240

1360

330

Pulsed Drain Current

@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

2.2

± 20

W/°C

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

630

1050

E_AS(tested)

Avalanche Current

I_AR

See Fig.12a,12b,15,16

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

°C

Operating Junction and

-55 to + 175

300

Storage Temperature Range

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.50

–––

Units

°C/W

Junction-to-Case

R_θ

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

0.50

–––

Junction-to-Ambient

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

HEXFET^®is a registered trademark of International Rectifier.

*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/

www.irf.com

02/19/2010

12 3 4 5 6 7...13

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AUIRF2804S-7P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRF2804STRL7P	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF2804S-7PPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢ Power MOSFET

与AUIRF2804S-7P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AUIRF2804S-7PS-7P	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2804S-7TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2804STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2804STRL7P	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2804STRR7P	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
AUIRF2804WL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
AUIRF2805	INFINEON	获取价格	ADVANCED PLANAR TECHNOLOGY, LOW ON-RESISTANCE
AUIRF2805L	INFINEON	获取价格	Advanced Planar Technology
AUIRF2805S	INFINEON	获取价格	Advanced Planar Technology
AUIRF2805STRL	INFINEON	获取价格	Advanced Planar Technology

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