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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF2805STRL
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AUIRF2805STRL

更新时间： 2024-11-30 12:53:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
14页 281K
描述
Advanced Planar Technology

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AUIRF2805STRL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：380 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：135 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0047 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：700 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

AUIRF2805STRL 数据手册

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PD - 96383A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRF2805S  
AUIRF2805L  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
S
AdvancedPlanarTechnology  
LowOn-Resistance  
Dynamic dV/dT Rating  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
V(BR)DSS  
55V  
RDS(on) max.  
ID  
4.7m  
135A  
Ω
G
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs  
utilizes the latest processing techniques to achieve low  
on-resistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwith  
the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliabledeviceforuseinAutomotiveandawidevarietyof  
otherapplications.  
D2Pak  
AUIRF2805S  
TO-262  
AUIRF2805L  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated  
in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect  
device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still  
air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
135  
96  
Units  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
A
C
700  
200  
1.3  
DM  
W
W/°C  
V
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
D
C
Linear Derating Factor  
±20  
380  
920  
V
EAS  
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy Tested value  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (Tested)  
IAR  
A
See Fig.12a,12b, 15,16  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
2.0  
dv/dt  
V/ns  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mounted)  
–––  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
08/29/11  
1234567...14

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