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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF2807
AUIRF2807 PDF预览

AUIRF2807

更新时间： 2024-11-30 12:52:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 202K
描述
Advanced Planar Technology, Low On-Resistance

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AUIRF2807 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：55 weeks
风险等级：7.65Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：340 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：230 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRF2807 数据手册

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PD - 96384A  
AUIRF2807  
AUTOMOTIVE GRADE  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
V(BR)DSS  
75V  
l
AdvancedPlanarTechnology  
LowOn-Resistance  
D
S
l
l
l
l
l
l
l
l
Dynamic dV/dT Rating  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
RDS(on) max.  
13m  
82A  
Ω
G
ID(Silicon Limited)  
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
ID (Package Limited)  
75A  
Automotive Qualified *  
D
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs  
utilizes the latest processing techniques to achieve low  
on-resistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwith  
the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for, pro-  
videsthedesignerwithanextremelyefficientandreliable  
device for use in Automotive and a wide variety of other  
applications.  
S
D
G
TO-220AB  
AUIRF2807  
G
Gate  
D
Drain  
S
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated  
in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect  
device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still  
air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
Max.  
82  
Units  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
58  
@ T = 100°C  
A
C
75  
@ T = 25°C  
C
280  
230  
1.5  
±20  
340  
43  
DM  
W
W/°C  
V
Power Dissipation  
P
@T = 25°C  
C
D
Linear Derating Factor  
V
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
23  
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
5.9  
Peak Diode Recovery dv/dt  
V/ns  
Operating Junction and  
T
T
J
-55 to + 175  
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
0.65  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case  
–––  
0.50  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
11/09/11  
1234567...11

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AUIRF2807 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		暂无描述
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