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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF2805STRR
AUIRF2805STRR PDF预览

AUIRF2805STRR

更新时间： 2024-11-30 12:53:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
14页 281K
描述
Advanced Planar Technology

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AUIRF2805STRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：380 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：135 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0047 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：700 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRF2805STRR 数据手册

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PD - 96383A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRF2805S  
AUIRF2805L  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
S
AdvancedPlanarTechnology  
LowOn-Resistance  
Dynamic dV/dT Rating  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
V(BR)DSS  
55V  
RDS(on) max.  
ID  
4.7m  
135A  
Ω
G
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs  
utilizes the latest processing techniques to achieve low  
on-resistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwith  
the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliabledeviceforuseinAutomotiveandawidevarietyof  
otherapplications.  
D2Pak  
AUIRF2805S  
TO-262  
AUIRF2805L  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated  
in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect  
device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still  
air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
135  
96  
Units  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
A
C
700  
200  
1.3  
DM  
W
W/°C  
V
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
D
C
Linear Derating Factor  
±20  
380  
920  
V
EAS  
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy Tested value  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (Tested)  
IAR  
A
See Fig.12a,12b, 15,16  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
2.0  
dv/dt  
V/ns  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mounted)  
–––  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
08/29/11  
1234567...14

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与AUIRF2805STRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRF2807 INFINEON

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 		Advanced Planar Technology, Low On-Resistance
AUIRF2903Z INFINEON

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 		AUTOMOTIVE GRADE
AUIRF2903ZS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2903ZSTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2903ZSTRR INFINEON

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 		暂无描述
AUIRF2905ZSTRL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF2905ZSTRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF2907Z INFINEON

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 		HEXFET? Power MOSFET
AUIRF2907ZS-7P INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 75V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2907ZS7PTL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 75V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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