AUIRF2607ZTRL

更新时间： 2024-11-30 06:38:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
HEXFET® Power MOSFET

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AUIRF2607ZTRL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	96 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AUIRF2607ZTRL 数据手册

PD - 96323

AUTOMOTIVE MOSFET

AUIRFR2607Z

HEXFET^®Power MOSFET

Features

V_(BR)DSS

75V

AdvancedProcessTechnology

R_DS(on)typ.

max.

UltraLowOn-Resistance

175°COperatingTemperature

FastSwitching

17.6m

Ω

22m

45A

Ω

RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax

Lead-Free,RoHSCompliant

AutomotiveQualified*

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

42A

Description

Specifically designed for Automotive applications, this

HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest processing

techniques to achieve extremely low on-resistance per

siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C

junction operating temperature, fast switching speed and

improved repetitive avalanche rating . These features

combine to make this design an extremely efficient and

reliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsandawide

varietyofotherapplications.

D-Pak

AUIRFR2607Z

Gate

Drain

Source

AbsoluteMaximumRatings

Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice. These

arestressratingsonly;andfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionbeyondthoseindicatedin

thespecificationsisnotimplied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevice

reliability.Thethermalresistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.

Ambienttemperature(T_A)is25°C, unlessotherwisespecified.

I_D@ T_C= 25°C Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

I_D@ T_C= 100°C Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

I_D@ T_C= 25°C Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

I_DM

180

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

110

Power Dissipation

W/°C

0.72

Linear Derating Factor

V_GS

E_AS

± 20

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

E_AR

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Operating Junction and

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.38

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB mount)

Junction-to-Ambient

°C/W

110

HEXFET^®is a registered trademark of International Rectifier.

*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/

www.irf.com

08/24/10

12 3 4 5 6 7...13

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AUIRF2804S-7PS-7P	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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AUIRF2804STRL7P	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRF2804STRR7P	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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