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SUP52N20-39P-E3

更新时间： 2024-11-12 19:57:39

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	83K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUP52N20-39P-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

SUP52N20-39P-E3 数据手册

SUP52N20-39P

New Product

Vishay Siliconix

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Power MOSFETS

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ)

175 °C Junction Temperature

100 % R_gand UIS Tested

0.038 at V_GS= 15 V

0.039 at V_GS= 10 V

RoHS

200

COMPLIANT

APPLICATIONS

•

Power Supply

- Primary Side

•

Lighting

TO-220AB

Industrial

G D

Top View

Ordering Information: SUP52N20-39P-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

200

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 175 °C)

I_D

T_C= 100 °C

32.5

100

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy^a

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

E_AS

250^b

3.12

Maximum Power Dissipation^a

P_D

_A= 25 °C^c

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Junction-to-Ambient (PCB Mount)^c

Symbol

Limit

Unit

R_thJA

°C/W

R_thJC

Junction-to-Case (Drain)

0.5

Notes:

a. Duty cycle ≤ 1 %.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

Document Number: 74294

S-62448-Rev. A, 27-Nov-06

www.vishay.com

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