生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 60 A | 最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 100 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 240 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 150 ns | 最大开启时间(吨): | 210 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUP60N06-18 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET | |
SUP60N06-18-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SUP60N10 | THINKISEMI |
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60A,100V Heatsink Trench N-Channel Power MOSFET | |
SUP60N10-16L | VISHAY |
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N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET | |
SUP60N10-18P-E3 | VISHAY |
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N-CH MOSFET TO-220 100V 18MOHM @ 10V - Rail/Tube | |
SUP60N6-18 | ETC |
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SUP60P06-20 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
SUP65P04-15 | VISHAY |
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P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET | |
SUP65P06 | TEMIC |
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P-Channel Enhancement-Mode Transistors | |
SUP65P06-20 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |