5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 150 ns | 最大开启时间（吨）： | 210 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP60N06-18 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
|
| SUP60N06-18-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SUP60N10 | THINKISEMI |
获取价格 |
60A,100V Heatsink Trench N-Channel Power MOSFET |
|
| SUP60N10-16L | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
|
| SUP60N10-18P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-CH MOSFET TO-220 100V 18MOHM @ 10V - Rail/Tube |
|
| SUP60N6-18 | ETC |
获取价格 |
|
|
| SUP60P06-20 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| SUP65P04-15 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
|
| SUP65P06 | TEMIC |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Transistors |
|
| SUP65P06-20 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
