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SUP70N04-10-E3

更新时间： 2024-11-12 20:00:03

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	52K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUP70N04-10-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	107 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：	1

SUP70N04-10-E3 数据手册

SUP/SUB70N03-09BP

New Product

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM Optimized

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.009 @ V = 10 V

0.013 @ V = 4.5 V

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

G D

Top View

SUP70N03-09BP

N-Channel MOSFET

SUB70N03-09BP

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 100_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

200

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

Power Dissipation

= 25_C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)

62.5

1.6

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

Free Air (TO-220AB)

_C/W

thJC

Notes:

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 71229

S-20102—Rev. B, 11-Mar-02

www.vishay.com

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