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SUP75N06-12L

更新时间： 2024-09-12 22:17:19

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威世 - VISHAY		/
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4页	79K
描述
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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SUP75N06-12L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	142 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUP75N06-12L 数据手册

SUP/SUB75N06-12L

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.012 @ V = 10 V

0.014 @ V = 4.5 V

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

G D S

Top View

SUB75N06-12L

N-Channel MOSFET

SUP75N06-12L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 100_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

180

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

180

= 25_C (TO-220AB and TO-263)

142

Power Dissipation

= 25_C (TO-263)

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

thJC

C/W

Free Air (TO-220AB)

62.5

1.05

Notes:

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 70807

S-59182—Rev. B, 07-Sep-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SUP75P03-07-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET
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