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SUP85N03-04P

更新时间： 2024-09-12 22:17:19

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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5页	51K
描述
N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

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SUP85N03-04P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	85 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	166 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUP85N03-04P 数据手册

SUP/SUB85N03-04P

New Product

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^a

0.0043 @ V = 10 V

0.007 @ V = 4.5 V

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

G D S

SUB85N03-04P

Top View

SUP85N03-04P

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 100_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

240

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

280

= 25_C (TO-220AB and TO-263)

166

Maximum Power Dissipation

= 25_C (TO-263)

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)

62.5

0.9

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

thJC

Free Air (TO-220AB)

_C/W

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 71241

S-20120—Rev. B, 12-Mar-02

www.vishay.com

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