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SUP85N15-21

更新时间： 2024-11-22 22:17:19

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威世 - VISHAY		/
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5页	44K
描述
N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET

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SUP85N15-21 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	85 A	最大漏极电流 (ID)：	85 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

SUP85N15-21 数据手册

SUP85N15-21

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 150-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 175_C Junction Temperature

APPLICATIONS

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Primary Side Switch

D Automotive

150

0.021 @ V = 10 V

- 42-V EPS and ABS

- DC/DC Conversion

- Motor Drives

TO-220AB

DRAIN connected to TAB

G D S

N-Channel MOSFET

Top View

SUP85N15-21

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

150

"20

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

180

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

125

= 25_C

300

Maximum Power Dissipation

= 25_C

2.4

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient—Free Air

Junction-to-Case (Drain)

62.5

0.4

thJA

thJC

C/W

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

Document Number: 72003

S-21715—Rev. A, 07-Oct-02

www.vishay.com

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