是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.86 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 85 A | 最大漏极电流 (ID): | 85 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUP90100E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) MOSFET | |
SUP90140E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90140E-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SUP90142E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90220E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90330E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90N03-03 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SUP90N03-03-E3 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SUP90N04-2M8P-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 25 A, 40 V, 0.0028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT | |
SUP90N04-3M3P | VISHAY |
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N-Channel 40 V (D-S) MOSFET |