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SUP90N08-06

更新时间： 2024-11-26 20:07:07

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	66K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUP90N08-06 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUP90N08-06 数据手册

SUP90N08-06

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 75-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 175_C Junction Temperature

APPLICATIONS

0.006 @ V = 10 V

D Automotive

- Boardnet 42-V EPS and ABS

- Motor Drives

D High Current

TO-220AB

D DC/DC Converters

G D

Top View

SUP90N08-06

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

240

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

280

= 25_C

300

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient—PCBMount

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case

0.5

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 72038

S-03918—Rev. A, 19-May-03

www.vishay.com

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