5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0088 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SUP85N10-10-E3 | VISHAY |
功能相似  |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP90N15-18P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SUP90N15-18P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
| SUP90P06-09L | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET |
|
| SUP90P06-09L_06 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) 175 Celsius MOSFET |
|
| SUP90P06-09L-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET |
|
| SUPA10 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
|
| SUPA11 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
|
| SUPA12 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
|
| SUPA13 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
|
| SUPA14 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
