Datasheet > SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3

更新时间： 2024-11-23 21:12:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	100K
描述
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SUP85N10-10-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.57
雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	85 A	最大漏极电流 (ID)：	85 A
最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SUP85N10-10-E3 数据手册

SUP85N10-10, SUB85N10-10

Vishay Siliconix

N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

175 °C Maximum Junction Temperature

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

0.0105 at V_GS= 10 V

0.012 at V_GS= 4.5 V

85^a

100

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

G D S

Top View

SUB85N10-10

N-Channel MOSFET

SUP85N10-10

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220AB

TO-263

Lead (Pb)-free

SUP85N10-10-E3

SUB85N10-10-E3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

100

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

_C= 25 °C

85^a

60^a

I_D

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

T_C= 125 °C

I_DM

I_AS

240

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Single Pulse Avalanche Energy^b

E_AS

280

T_C= 25 °C (TO-220AB and TO-263)

250^c

3.75

- 55 to 175

Maximum Power Dissipation^b

P_D

_A= 25 °C (TO-263)^d

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

R_thJC

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)^d

Free Air (TO-220AB)

Junction-to-Ambient

62.5

0.6

°C/W

Junction-to-Case

Notes:

a. Package limited.

b. Duty cycle ≤ 1 %.

c. See SOA curve fo voltage derating.

d. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

Document Number: 71141

S10-0107-Rev. E, 18-Jan-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

SUP85N10-10-E3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDP120N10	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ
FDP100N10	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

与SUP85N10-10-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUP85N10-10P-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUP85N10-10P-GE3	VISHAY	获取价格	N-CH MOSFET TO-220 100V 10.5MOHM @ 10V - Rail/Tube
SUP85N15-21	VISHAY	获取价格	N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90100E	VISHAY	获取价格	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
SUP90140E	VISHAY	获取价格	N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
SUP90140E-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SUP90142E	VISHAY	获取价格	N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
SUP90220E	VISHAY	获取价格	N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
SUP90330E	VISHAY	获取价格	N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
SUP90N03-03	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SUP85N10-10-E3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3 技术参数

SUP85N10-10-E3 数据手册

SUP85N10-10-E3 替代型号

与SUP85N10-10-E3相关器件

与SUP85N10-10-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3 技术参数

SUP85N10-10-E3 数据手册

SUP85N10-10-E3 替代型号

与SUP85N10-10-E3相关器件

与SUP85N10-10-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？