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SUP85N10-10P-E3

更新时间： 2024-11-23 20:55:19

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
7页	98K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUP85N10-10P-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.45
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	85 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	227 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

SUP85N10-10P-E3 数据手册

SUP85N10-10P

Vishay Siliconix

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Definition

85^d

0.010 at V_GS= 10 V

100

•

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gand UIS Tested

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

Industrial

•

TO-220AB

G D

Top View

Ordering Information: SUP85N10-10P-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

100

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

85^d

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 175 °C)

I_D

240

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Single Avalanche Energy^a

E_AS

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

180

227^b

3.75

Maximum Power Dissipation^a

P_D

_A= 25 °C^c

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Junction-to-Ambient (PCB Mount)^c

Symbol

Limit

Unit

R_thJA

°C/W

R_thJC

Junction-to-Case (Drain)

0.55

Notes:

a. Duty cycle ≤ 1 %.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

d. Package limited.

Document Number: 64833

S09-0860-Rev. A, 18-May-09

www.vishay.com

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