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SUP85N10-10P-GE3 PDF预览

SUP85N10-10P-GE3

更新时间： 2024-11-05 19:52:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 106K
描述
N-CH MOSFET TO-220 100V 10.5MOHM @ 10V - Rail/Tube

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SUP85N10-10P-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.45雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：85 A最大漏极电流 (ID)：85 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：227 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUP85N10-10P-GE3 数据手册

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SUP85N10-10P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
85d  
•
•
•
0.010 at VGS = 10 V  
100  
77  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
TO-220AB  
APPLICATIONS  
Industrial  
•
D
G
G D  
S
Top View  
S
Ordering Information:  
SUP85N10-10P-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
100  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
85d  
83  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)  
ID  
A
IDM  
IAS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
240  
60  
Single Avalanche Energya  
EAS  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
180  
mJ  
W
227b  
3.75  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
A = 25 °Cc  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)c  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
RthJA  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case (Drain)  
0.55  
Notes:  
a. Duty cycle ≤ 1 %.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
d. Package limited.  
Document Number: 64833  
S11-2239-Rev. B, 14-Nov-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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SUP85N10-10P-GE3 替代型号

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