是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 2.28 | 雪崩能效等级(Eas): | 180 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 90 A | 最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 240 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUP90142E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90220E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90330E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP90N03-03 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SUP90N03-03-E3 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SUP90N04-2M8P-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 25 A, 40 V, 0.0028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT | |
SUP90N04-3M3P | VISHAY |
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N-Channel 40 V (D-S) MOSFET | |
SUP90N04-3M3P-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 40 V (D-S) MOSFET | |
SUP90N06-05L | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET | |
SUP90N06-5M0P | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |