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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 245 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SUP85N10-10-E3 | VISHAY |
功能相似  |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| SUM90N10-8M2P-E3 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
|
| IRF540N | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP90N08-6M8P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SUP90N08-6M8P_09 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SUP90N08-6M8P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SUP90N08-7M7P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SUP90N08-7M7P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SUP90N08-8M2P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SUP90N08-8M2P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SUP90N10-09 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
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| SUP90N10-8M8P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
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| SUP90N10-8M8P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
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