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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 211 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0093 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SUP75P05-08 | VISHAY |
完全替代  |
P-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET |
|
| SUD09P10-195-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
MOSFET P-CH 100V DPAK |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUPA10 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
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| SUPA11 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
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| SUPA12 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
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| SUPA13 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
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| SUPA14 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
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| SUPA15 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
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| SUPA16 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
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| SUP-A1L | OKAYA |
获取价格 |
NOISE FILTER |
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| SUP-A1L-E | OKAYA |
获取价格 |
NOISE FILTER |
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| SUP-A2L | OKAYA |
获取价格 |
NOISE FILTER |
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