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SUD09P10-195-GE3

更新时间： 2024-09-15 21:17:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
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6页 105K
描述
MOSFET P-CH 100V DPAK

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SUD09P10-195-GE3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.53雪崩能效等级（Eas）：16.2 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.8 A
最大漏极电流 (ID)：8.8 A最大漏源导通电阻：0.195 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：32.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SUD09P10-195-GE3 数据手册

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SUD09P10-195  
Vishay Siliconix  
P-Channel 100 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 8.8  
- 8.5  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.195 at VGS = - 10 V  
0.210 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
- 100  
11.7  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Power Switch  
•
DC/DC Converters  
S
TO-252  
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
D
Top View  
Ordering Information: SUD09P10-195-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 100  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
- 8.8  
- 7.1  
- 15  
- 18  
16.2  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IAS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Single Avalanche Energya  
EAS  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
mJ  
W
32.1b  
2.5  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
A = 25 °Cc  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)c  
Symbol  
Limit  
50  
Unit  
RthJA  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case (Drain)  
3.9  
Notes:  
a. Duty cycle ≤ 1 %.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 65903  
S10-0634-Rev. A, 22-Mar-10  
www.vishay.com  
1
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