Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUM90N10-8M2P-E3

SUM90N10-8M2P-E3

更新时间： 2024-11-25 06:14:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
6页	100K
描述
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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SUM90N10-8M2P-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.7	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.0082 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SUM90N10-8M2P-E3 数据手册

SUM90N10-8m2P

Vishay Siliconix

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Power MOSFETS

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ)

175 °C Junction Temperature

100 % R_gand UIS Tested

90^d

0.0082 at V_GS= 10 V

100

RoHS

COMPLIANT

APPLICATIONS

•

Power Supply

- Secondary Synchronous Rectification

• Industrial

• Primary Switch

TO-263

D S

Top View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: SUM90N10-8m2P-E3 (Lead (Pb)-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

100

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

90^d

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 175 °C)

I_D

90^d

240

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Single Avalanche Energy^a

E_AS

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

180

300^b

3.75

Maximum Power Dissipation^a

P_D

_A= 25 °C^c

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Junction-to-Ambient (PCB Mount)^c

Symbol

Limit

Unit

R_thJA

°C/W

R_thJC

Junction-to-Case (Drain)

0.5

Notes:

a. Duty cycle ≤ 1 %.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

d. Package limited.

Document Number: 74643

S-71690-Rev. A, 13-Aug-07

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS4410ZPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

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SUM90UF	SSDI	获取价格	400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM90UFSMS	SSDI	获取价格	400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM90UFSMSS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
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