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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167164 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | FDP120N10 | Samacsys Released Date： | 2018-12-12 16:37:29 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 198 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 74 A | 最大漏极电流 (ID)： | 74 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 296 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SUP85N10-10-E3 | VISHAY |
功能相似  |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| STP120NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP12N35 | FAIRCHILD |
获取价格 |
350V N-Channel MOSFET |
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| FDP12N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
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| FDP12N50 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，11.5A，650mΩ |
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| FDP12N50_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65Ω |
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| FDP12N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ |
|
| FDP12N50NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET II MOSFETï |
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| FDP12N50NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，11.5 A，520 m |
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| FDP12N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 12 A, 650 |
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| FDP12N60NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，12 A，650 mΩ， |
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| FDP13AN06A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
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