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FDP14N30

更新时间： 2024-02-06 00:03:37
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 412K
描述
300V N-Channel MOSFET

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FDP14N30 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：330 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.29 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP14N30 数据手册

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February 2007  
TM  
UniFET  
FDP14N30 / FDPF14N30  
300V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
14A, 300V, RDS(on) = 0.29Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 18 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
S
TO-220  
G
G D  
S
D S  
FDP Series  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP14N30 FDPF14N30  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
300  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
14  
8.4  
14 *  
8.4 ∗  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
56  
56 ∗  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
±30  
330  
14  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
14  
mJ  
V/ns  
4.5  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
140  
35  
W
- Derate above 25°C  
1.12  
0.28  
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP14N30 FDPF14N30  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.89  
0.5  
3.56  
--  
RθCS  
RθJA  
62.5  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP14N30 / FDPF14N30 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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