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FDP15N50

更新时间： 2024-11-22 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 191K
描述
15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET

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FDP15N50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.73Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：760 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.38 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP15N50 数据手册

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August 2003  
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50  
15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET  
Applications  
Features  
•
Low Gate Charge  
Requirement  
Q
results in Simple Drive  
Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as  
g
•
•
•
•
•
•
PFC Boost  
•
Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt  
Ruggedness  
Two-Switch Forward Converter  
Single Switch Forward Converter  
Flyback Converter  
•
•
•
•
Reduced r  
DS(ON)  
Buck Converter  
Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance  
Improved Switching Speed with Low EMI  
175°C Rated Junction Temperature  
High Speed Switching  
Package  
Symbol  
DRAIN  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
(FLANGE)  
D
S
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
G
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
TO-263AB  
DRAIN  
FDB SERIES  
(BOTTOM)  
TO-247  
TO-220AB  
FDH SERIES  
FDP SERIES  
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
500  
Units  
V
V
V
DSS  
V
Gate to Source Voltage  
±30  
GS  
Drain Current  
o
15  
11  
60  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
I
D
o
Continuous (T = 100 C, V = 10V)  
C
GS  
1
Pulsed  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
300  
2
W
W/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Soldering Temperature for 10 seconds  
-55 to 175  
C
J
STG  
o
300 (1.6mm from case)  
C
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case  
0.50  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient (TO-247)  
Thermal Resistance Junction to Ambient (TO-220, TO-263)  
40  
62  
C/W  
C/W  
o
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 RevD2  
123456

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FDP15N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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