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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 542 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19 A | 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 215 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP19N40_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24Ω |
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| FDP20AN06A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m??? |
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| FDP20G | ADAM-TECH |
获取价格 |
IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
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| FDP20GGY | ADAM-TECH |
获取价格 |
DIP Connector, 20 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator |
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| FDP20N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET |
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| FDP20N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDP20N50 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20 A，230 mΩ，TO- |
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| FDP20N50_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDP20N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 20A, 0.26ヘ |
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| FDP20N50F | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，20 A，260 |
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