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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP2532_NL
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FDP2532_NL

更新时间： 2024-11-23 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 269K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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FDP2532_NL 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：79 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP2532_NL 数据手册

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August 2002  
FDB2532 / FDP2532 / FDI2532  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
150V, 79A, 16mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 14mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A  
Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC converters and Off-Line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection Systems  
42V Automotive Load Control  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
Formerly developmental type 82884  
Electronic Valve Train Systems  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
GATE  
GATE  
SOURCE  
G
TO-220AB  
FDP SERIES  
DRAIN  
(FLANGE)  
TO-262AB  
FDI SERIES  
TO-263AB  
FDB SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
150  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
79  
56  
A
A
ID  
8
A
Figure 4  
400  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
310  
W
PD  
2.07  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-263, TO-262  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-262 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
0.48  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 Rev. B  
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