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FDP2614

更新时间： 2024-09-14 03:36:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关PC局域网
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8页 349K
描述
200V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDP2614 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：145 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：62 A
最大漏极电流 (ID)：62 A最大漏源导通电阻：0.027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：260 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP2614 数据手册

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November 2007  
tm  
FDP2614  
200V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-  
ductor’s advanced PowerTrench process that has been espe-  
cially tailored to minimize the on-state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
•
•
•
•
•
•
62A, 200V, RDS(on) = 22.9mΩ @VGS = 10 V  
Fast switching speed  
Low gate charge  
High performance trench technology for extremely low RDS(on)  
High power and current handling capability  
RoHS compliant  
Application  
•
PDP application  
D
G
TO-220  
G
D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
200  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
V
V
VGS  
ID  
± 30  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
62  
39.3  
A
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
A
see Figure 9  
(Note 2)  
(Note 3)  
EAS  
dv/dt  
PD  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
145  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
260  
2.1  
W
W/°C  
- Derate above 25°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.48  
Unit  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP2614 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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