5秒后页面跳转
FDP3632 PDF预览

FDP3632

更新时间: 2024-09-16 11:12:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
17页 864K
描述
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,80A,9mΩ 推荐替代产品为 FDP090N10

FDP3632 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:TO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95Factory Lead Time:1 week
风险等级:7.75雪崩能效等级(Eas):337 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):12 A
最大漏源导通电阻:0.009 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FDP3632 数据手册

 浏览型号FDP3632的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDP3632的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDP3632的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDP3632的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDP3632的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDP3632的Datasheet PDF文件第7页 
MOSFET – Power, N-Channel,  
POWERTRENCHꢀ  
100 V, 80 A, 9 mW  
FDH3632, FDP3632,  
FDB3632  
www.onsemi.com  
Features  
R  
= 7.5 mW (Typ.), V = 10 V, I = 80 A  
GS D  
DS(ON)  
Q (tot) = 84 nC (Typ.), V = 10 V  
g
GS  
V
DSS  
R
MAX  
I MAX  
D
DS(ON)  
Low Miller Charge  
Low Q Body Diode  
100 V  
9 mW  
80 A  
rr  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
These Devices are PbFree and are RoHS Compliant  
D
S
Applications  
G
Synchronous Rectification  
Battery Protection Circuit  
Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies  
Micro Solar Inverter  
TO2473  
CASE 340CK  
G
D
S
TO2203  
CASE 340AT  
G
D
S
D2PAK3  
CASE 418AJ  
MARKING DIAGRAM  
$Y&Z&3&K  
FDX3632  
$Y  
= ON Semiconductor Logo  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot  
FDX3632  
= Specific Device Code  
X = H/P/B  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
May, 2020 Rev. 5  
FDP3632/D  

FDP3632 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDP3632_NL FAIRCHILD

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与FDP3632相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP3632_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP3651U FAIRCHILD

获取价格

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM
FDP3651U ONSEMI

获取价格

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,80A,18mΩ
FDP3652 FAIRCHILD

获取价格

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз
FDP3652 ONSEMI

获取价格

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16m
FDP3652_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP3672 FAIRCHILD

获取价格

N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз
FDP3672 ONSEMI

获取价格

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,105V,41A,33mΩ
FDP3672_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 105V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDP3682 TRIPATH

获取价格

STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO