是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | TO-220AB, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 7.75 | 雪崩能效等级(Eas): | 337 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDP3632_NL | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP3632_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDP3651U | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM | |
FDP3651U | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,80A,18mΩ | |
FDP3652 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз | |
FDP3652 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16m | |
FDP3652_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDP3672 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз | |
FDP3672 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,105V,41A,33mΩ | |
FDP3672_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 105V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FDP3682 | TRIPATH |
获取价格 |
STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO |