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FDP26N40

更新时间： 2024-11-23 03:06:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 552K
描述
N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ

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FDP26N40 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.2
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1352 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A最大漏极电流 (ID)：26 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：265 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：104 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP26N40 数据手册

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February 2008  
UniFETTM  
FDP26N40 / FDPF26N40  
tm  
N-Channel MOSFET  
400V, 26A, 0.16Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.13Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 13A  
Low gate charge ( Typ. 48nC)  
Low Crss ( Typ. 30pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pluse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power suppliesand active power  
factor correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS compliant  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
TO-220  
FDP Series  
G D S  
G
D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP26N40  
FDPF26N40  
400  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±30  
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
26  
26*  
15.6*  
104*  
ID  
Drain Current  
A
15.6  
104  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1352  
26  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
26.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
265  
2.0  
40  
PD  
Power Dissipation  
0.3  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
FDP26N40  
FDPF26N40  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.5  
0.5  
3.0  
-
Thermal Resistance, Case to Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP26N40 / FDPF26N40 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP2710 FAIRCHILD

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 		250V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP2710 ONSEMI

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FDP2710_F085 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP2710-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，250V，50A，47mΩ
FDP2710-SW82258 FAIRCHILD

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 		Transistor
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 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP28G30 ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 28 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
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 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE

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