是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.36 | 雪崩能效等级(Eas): | 393 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 310 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDP3632 | ONSEMI |
功能相似 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,80A,9mΩ 推荐替代产品为 | |
FDP3632 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP3651U | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM | |
FDP3651U | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,80A,18mΩ | |
FDP3652 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз | |
FDP3652 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16m | |
FDP3652_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDP3672 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз | |
FDP3672 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,105V,41A,33mΩ | |
FDP3672_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 105V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FDP3682 | TRIPATH |
获取价格 |
STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO | |
FDP3682 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,32A,36mΩ |