生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8536.69.40.51 |
风险等级: | 5.75 | 其他特性: | STANDARD: MIL-C-83503/6, SOLDERED DIRECTLY TO THE BOARD, LOW PROFILE |
主体宽度: | 0.719 inch | 主体深度: | 0.25 inch |
主体长度: | 1.765 inch | 主体/外壳类型: | PLUG |
连接器类型: | DIP CONNECTOR | 接触器设计: | PREASSEM CONN |
联系完成配合: | SN-PB ON CU | 联系完成终止: | GOLD |
触点性别: | MALE | 触点材料: | PHOSPHOR BRONZE |
触点模式: | RECTANGULAR | 触点电阻: | 20 m Ω |
触点样式: | RND PIN-SKT | DIN 符合性: | NO |
介电耐压: | 1000VAC V | 滤波功能: | NO |
IEC 符合性: | NO | 绝缘电阻: | 5000000000 Ω |
绝缘体颜色: | GRAY | 绝缘体材料: | GLASS FILLED POLYBUTYLENE TEREPHTHALATE |
MIL 符合性: | YES | 插接触点节距: | 0.1 inch |
匹配触点行间距: | 0.6 inch | 混合触点: | NO |
安装类型: | CABLE | 装载的行数: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
选件: | GENERAL PURPOSE | 电镀厚度: | 100u inch |
额定电流(信号): | 1 A | 参考标准: | UL, CSA |
可靠性: | MIL-C-83503/6 | 子类别: | Headers and Edge Type Connectors |
端接类型: | IDC | 触点总数: | 32 |
UL 易燃性代码: | 94V-0 | 最大线径: | 28 AWG |
最小线径: | 28 AWG | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP33N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FDP33N25 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,250 V,33 A,94 mΩ,TO-2 | |
FDP33N25_07 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FDP3632 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз | |
FDP3632 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,80A,9mΩ 推荐替代产品为 | |
FDP3632_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDP3651U | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM | |
FDP3651U | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,80A,18mΩ | |
FDP3652 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз | |
FDP3652 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16m |