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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.79 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 266 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 255 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP3652 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз |
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| FDP3652 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16m |
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| FDP3652_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDP3672 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз |
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| FDP3672 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，105V，41A，33mΩ |
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| FDP3672_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 105V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDP3682 | TRIPATH |
获取价格 |
STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO |
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| FDP3682 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，32A，36mΩ |
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| FDP3682 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз |
|
| FDP3682_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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