FDP4020P

更新时间： 2024-09-15 22:40:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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7页	215K
描述
P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDP4020P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	37.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDP4020P 数据手册

February 1999

PRELIMINARY

FDP4020P/FDB4020P

P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

• -16 A, -20 V. R_DS(on)= 0.08 Ω @ V_GS= -4.5 V

R_DS(on)= 0.11 Ω @ V_GS= -2.5 V.

This P-Channel low threshold MOSFET has been

designed for use as a linear pass element for low voltage

outputs. In addition, the part may be used as a low voltage

load switch when switching outputs on or off for power

management.The part may also be used in conjunction

with DC-DC converters requiring P-Channel.

• Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

• High density cell design for extremely low R_DS(on)

• TO-220 and TO-263 (D PAK) package for both

through hole and surface mount applications.

• 175°C maximum junction temperature rating.

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

FDP4020P FDB4020P

Symbol

Parameter

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-20

-16

-48

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25 C

37.5

Derate above 25 C

0.25

W/ C

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

Thermal Characteristics

C/W

Thermal Resistance, Junction-to- Case

(Note 1)

C/W

Thermal Resistance, Junction-to- Ambient

62.5

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDP4020P

13’’

12mm

2500 units

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDP4020P Rev. A

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP4020P_00	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP4020PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDP4030L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP4030LJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP40G	ADAM-TECH	获取价格	IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP40G30	ADAM-TECH	获取价格	DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato
FDP40GGY	ADAM-TECH	获取价格	DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDP40T	ADAM-TECH	获取价格	IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP40T30	ADAM-TECH	获取价格	DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, IDC Terminal, Plug
FDP40TGY	ADAM-TECH	获取价格	DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator

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