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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 860 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 375 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP5500-F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 80A, 7mÎ |
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| FDP5500-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，80A，7mΩ |
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| FDP55N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FDP55N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，60 V，55 A，22mΩ，TO-220 |
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| FDP5645 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDP5645S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 60V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDP5680 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
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| FDP5680S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDP5690 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDP5690S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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