是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.7 |
雪崩能效等级(Eas): | 860 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.007 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 375 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP5500-F085 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 80A, 7mÎ | |
FDP5500-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,55V,80A,7mΩ | |
FDP55N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FDP55N06 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,60 V,55 A,22mΩ,TO-220 | |
FDP5645 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDP5645S62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 60V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDP5680 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET | |
FDP5680S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FDP5690 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET | |
FDP5690S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |