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FDP46N30

更新时间： 2024-09-15 22:15:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 698K
描述
300V N-Channel MOSFET

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FDP46N30 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.44
雪崩能效等级（Eas）：1205 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏极电流 (ID)：46 A
最大漏源导通电阻：0.079 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：184 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FDP46N30 数据手册

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August 2005  
UniFETTM  
FDP46N30  
300V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
46A, 300V, R  
= 0.079Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge (typical 58 nC)  
Low C (typical 60 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
z
ꢀ ꢁ  
z
z
G
{
TO-220  
G
D
S
{
FDP Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
DSS  
Parameter  
FDP46N30  
Unit  
V
V
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
300  
I
- Continuous (T = 25°C)  
- Continuous (T = 100°C)  
46  
27.6  
A
A
D
C
C
(Note 1)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
184  
30  
A
V
DM  
V
E
Gate-Source voltage  
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1205  
46  
mJ  
A
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
41.7  
4.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
417  
3.3  
W
W/°C  
D
C
- Derate above 25°C  
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
θJC  
θCS  
θJA  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Min.  
Max.  
0.30  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
--  
0.5  
--  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP46N30 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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