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FDP5N50NZ

更新时间： 2024-11-25 21:15:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 1147K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

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FDP5N50NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.51
雪崩能效等级（Eas）：160 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：78 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP5N50NZ 数据手册

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December 2013  
FDP5N50NZ / FDPF5N50NZ  
TM  
N-Channel UniFET II MOSFET  
500 V, 4.5 A, 1.5 Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
R DS(on) = 1.38 Ω (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.25 A  
Low Gate Charge (Typ. 9 nC)  
Low CRSS (Typ. 4 pF)  
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage  
MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS  
technology. This advanced MOSFET family has the smallest  
on-state resistance among the planar MOSFET, and also pro-  
vides superior switching performance and higher avalanche  
energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode  
allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge  
stress. This device family is suitable for switching power con-  
verter applications such as power factor correction (PFC), flat  
panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp bal-  
lasts.  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
ESD Improved Capability  
RoHS Compliant  
Applications  
•
•
•
•
LCD/ LED TV  
Lighting  
Uninterruptible Power Supply  
AC-DC Power Supply  
D
G
G
D
S
G
D
TO-220F  
TO-220  
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP5N50NZ FDPF5N50NZ  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±25  
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
4.5  
2.7  
18  
4.5*  
2.7*  
18*  
ID  
Drain Current  
A
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
160  
4.5  
7.8  
10  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
78  
30  
PD  
Power Dissipation  
0.62  
0.24  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering ,  
oC  
1/8” from Case for 5 Seconds.  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RθJC  
RθJA  
Parameter  
FDP5N50NZ FDPF5N50NZ  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
1.6  
4.1  
oC/W  
62.5  
62.5  
www.fairchildsemi.com  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP5N50NZ / FDPF5N50NZ Rev. C1  
1
1234567...10

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FDP5N50NZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDP8N50NZ FAIRCHILD

类似代替

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