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FDP6035L

更新时间： 2024-11-24 22:40:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管
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4页	416K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDP6035L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	58 A	最大漏极电流 (ID)：	58 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	175 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDP6035L 数据手册

April 1998

FDP6035L/FDB6035L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

58 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.011 W @ V_GS=10 V

These N-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. These devices are particularly suited

for low voltage applications such as DC/DC converters and

high efficiency switching circuits where fast switching, low

in-line power loss, and resistance to transients are needed.

R_DS(ON)= 0.019 W @ V_GS=4.5 V.

Low gate charge (typical 34 nC).

Low Crss (typical 175 pF).

Fast switching speed.

________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

FDP6035L

FDB6035L

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

Gate-Source Voltage

±20

V_GSS

I_D

Drain Current - Continuous

- Pulsed

175

W/°C

°C

P_D

Maximum Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.5

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 175

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

R_q_JC

R_qJA

62.5

FDP6035L Rev.B

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP6035LS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP603AL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP603ALJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP61N20	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET
FDP61N20	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，61A，41mΩ，TO-220
FDP65N06	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel MOSFET
FDP65N06	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，60 V，65 A，16 mΩ，TO-22
FDP6644	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP6644S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
FDP6644SJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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