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FDP6644

更新时间： 2024-11-20 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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5页 81K
描述
30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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June 2001  
FDP6644/FDB6644  
30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
·
50 A, 30 V.  
RDS(ON) = 8.5 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 10.5 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
·
Low gate charge (27 nC typical)  
Fast switching speed  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
·
175°C maximum junction temperature rating  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
V
± 16  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1)  
(Note 1)  
50  
A
150  
A
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
83  
W
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
0.55  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
Thermal Characteristics  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.8  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
FDB6644  
FDP6644  
Reel Size  
Tape width  
24mm  
Quantity  
FDB6644  
13’’  
800 units  
45  
FDP6644  
Tube  
n/a  
FDP6644 Rev C(W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDP6644 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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