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FDP6676J69Z

更新时间： 2024-02-27 13:03:54

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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技术参数
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FDP6676J69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.006 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDP6676J69Z 数据手册

April 2001

FDP6676/FDB6676

30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers. It has been optimized for

“low side” synchronous rectifier operation, providing an

• 42 A, 30 V.

R_DS(ON)= 6.0 mΩ @ V_GS= 10 V

_DS(ON)= 7.5 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• Critical DC electrical parameters specified at

extremely low R_DS(ON)

elevated temperature

Applications

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• Synchronous rectifier

• DC/DC converter

• 175°C maximum junction temperature rating

TO-263AB

FDB Series

TO-220

FDP Series

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 16

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1)

240

P_D

W°C

°C

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

0.48

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_J, T_STG

-65 to +175

Thermal Characteristics

R_θJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.6

°C/W

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

FDP6676

Device

FDP6676

FDB6676

Reel Size

Tube

Tape width

n/a

24mm

Quantity

800 units

FDB6676

13”

FDP6676/FDB6676 Rev C(W)

2000 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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FDP6676SJ69Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
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FDP6688L86Z	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
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