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FDP7030L

更新时间： 2024-11-20 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 475K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDP7030L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：114 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP7030L 数据手册

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April 1998  
FDP7030L / FDB7030L  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel logic level enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state resistance.  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as DC/DC converters and high efficiency  
switching circuits where fast switching, low in-line power  
loss, and resistance to transients are needed.  
100 A, 30 V. RDS(ON) = 0.007 W @ VGS=10 V  
RDS(ON) = 0.010 W @ VGS=5 V.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
175°C maximum junction temperature rating.  
_________________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TC = 25°C unless otherwise noted  
FDP7030L  
FDB7030L  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
V
V
A
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous  
±20  
(Note 1)  
(Note 1)  
100  
75  
- Pulsed  
300  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
125  
W
W/°C  
°C  
0.83  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
TJ,TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
275  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1.2  
°C/W  
°C/W  
RqJC  
R
62.5  
JA  
q
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP7030L Rev.D1  
1234

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