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FDP7045

更新时间： 2024-01-13 23:33:31

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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10页	428K
描述
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FDP7045 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.36
雪崩能效等级（Eas）：	330 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDP7045 数据手册

January 2000

FDP7045L/FDB7045L

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

100 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.0045 W @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.006 W @ V_GS= 4.5 V.

This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate

charge than other MOSFETs with comparable R_DS(on)

specifications resulting in DC/DC power supply designs

with higher overall efficiency.

Rugged internal source-drain diode can eliminate the

need for an external Zener diode transient suppressor.

High performance PowerTrench technology for

extremely low R_DS(ON)

175°C maximum junction temperature rating.

TO-220

FDP Series

TO-263AB

FDB Series

T_C= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

FDP7045L

FDB7045L

Symbol

V_DSS

Parameter

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

I_D

Maximum Drain Current - Continuous

(Note 1)

100

- Pulsed

300

125

0.85

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25 C

Derate above 25 C

W/ C

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

Thermal Characteristics

θ^JC

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.2

θ^JA

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

FDB7045L

Device

FDB7045L

FDP7045L

Reel Size

13’’

Tape Width

Quantity

800

24mm

N/A

FDP7045L

Tube

ã1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDP7045L/FDB7045L Rev.C

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP7045L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP7045L_04	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP7045LJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP7080	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP7080J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP75N08	FAIRCHILD	获取价格	75V N-Channel MOSFET
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FDP75N08A	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，75 V，75 A，11 mΩ，TO-22
FDP79N15	FAIRCHILD	获取价格	150V N-Channel MOSFET

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