5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP7N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FDP7N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II MOSFET |
|
| FDP7N60NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25 Ω |
|
| FD-P80 | ETC |
获取价格 |
Digital Fiber Sensor FX-100 SERIES |
|
| FDP8030L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| FDP8030L | ONSEMI |
获取价格 |
30V N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET |
|
| FDP8030L_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FDP8030LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDP80N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| FDP80N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，60 V，80 A，10 mΩ，TO-22 |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
